ON Semiconductor - HGT1S10N120BNS

KEY Part #: K6424802

HGT1S10N120BNS 価格設定(USD) [28534個在庫]

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品番:
HGT1S10N120BNS
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGT1S10N120BNS 製品の属性

品番 : HGT1S10N120BNS
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 35A
電流-パルスコレクター(Icm) : 80A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 298W
スイッチングエネルギー : 320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 100nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 23ns/165ns
試験条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB

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