HGT1S10N120BNS 価格設定（USD） [28534個在庫]
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- 品番:
- HGT1S10N120BNS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S10N120BNS electronic components. HGT1S10N120BNS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S10N120BNS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S10N120BNS 製品の属性
品番 :
HGT1S10N120BNS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
35A
電流-パルスコレクター（Icm） :
80A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
298W
スイッチングエネルギー :
320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
100nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
23ns/165ns
試験条件 :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
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