Toshiba Memory America, Inc. - TH58BVG2S3HBAI4

KEY Part #: K934697

TH58BVG2S3HBAI4 価格設定（USD） [13416個在庫]

1 pcs$3.41542

品番:: TH58BVG2S3HBAI4

メーカー:: Toshiba Memory America, Inc.

詳細な説明:: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-UART（Universal Asynchronous Receiver Tran, ロジック-シフトレジスタ, インターフェース-エンコーダー、デコーダー、コンバーター, リニア-アンプ-ビデオアンプおよびモジュール, PMIC-電源コントローラー、モニター, 組み込み-システムオンチップ（SoC）, リニア-アンプ-オーディオ and データ収集-デジタルポテンショメータを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BVG2S3HBAI4 electronic components. TH58BVG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BVG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

TH58BVG2S3HBAI4 製品の属性

品番 : TH58BVG2S3HBAI4

メーカー : Toshiba Memory America, Inc.

説明 : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE

シリーズ : Benand™

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NAND (SLC)

メモリー容量 : 4Gb (512M x 8)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns

アクセス時間 : -

メモリインターフェース : -

電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 63-VFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 63-TFBGA (9x11)

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