Alliance Memory, Inc. - AS4C32M32MD1A-5BIN

KEY Part #: K937815

AS4C32M32MD1A-5BIN 価格設定(USD) [18133個在庫]

  • 1 pcs$2.52708

品番:
AS4C32M32MD1A-5BIN
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA. DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-電圧レギュレータ-リニア+スイッチング, PMIC-レーザードライバー, インターフェース-モジュール, クロック/タイミング-リアルタイムクロック, インターフェース-コントローラー, インターフェース-エンコーダー、デコーダー、コンバーター, 組み込み-マイクロプロセッサー and 組み込み-マイクロコントローラー、マイクロプロセッサー、FPGAモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BIN electronic components. AS4C32M32MD1A-5BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M32MD1A-5BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M32MD1A-5BIN 製品の属性

品番 : AS4C32M32MD1A-5BIN
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - Mobile LPDDR
メモリー容量 : 1Gb (32M x 32)
クロック周波数 : 200MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 5ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 90-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 90-FBGA (8x13)

あなたも興味があるかもしれません
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C