GeneSiC Semiconductor - MURT20005R

KEY Part #: K6468908

MURT20005R 価格設定(USD) [999個在庫]

  • 1 pcs$46.46811
  • 50 pcs$29.08672

品番:
MURT20005R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20005R electronic components. MURT20005R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20005R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20005R 製品の属性

品番 : MURT20005R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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