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- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 20A. Diodes - General Purpose, Power, Switching SiC SBD - 600V/20A/10A, TO-3PSG pkg
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJS6004WDPK-00#T0 electronic components. RJS6004WDPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJS6004WDPK-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJS6004WDPK-00#T0 製品の属性
品番 :
RJS6004WDPK-00#T0
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 20A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
10A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.8V @ 10A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
15ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 600V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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