GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT

KEY Part #: K6468617

MBR12080CT 価格設定(USD) [1424個在庫]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770

品番:
MBR12080CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56RV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR12080CT electronic components. MBR12080CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR12080CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR12080CT 製品の属性

品番 : MBR12080CT
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 120A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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