Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N1200RA

KEY Part #: K6440776

VS-1N1200RA 価格設定(USD) [20330個在庫]

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品番:
VS-1N1200RA
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA. Rectifiers 100 Volt 12 Amp
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N1200RA 製品の属性

品番 : VS-1N1200RA
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.35V @ 12A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 2.5mA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-203AA
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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