説明 :
IC LOW SIDE DRIVER 16SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
1V, 3.65V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
2A, 2A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
1200V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
15ns, 15ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SOIC