GeneSiC Semiconductor - MBRT200150

KEY Part #: K6468530

MBRT200150 価格設定(USD) [1317個在庫]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$21.38259

品番:
MBRT200150
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 200A Forward
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT200150 electronic components. MBRT200150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT200150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT200150 製品の属性

品番 : MBRT200150
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 880mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 150V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAT240AE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 240V SOT23.

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.