現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. AS4C256M16D3LB-12BCNTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C256M16D3LB-12BCNTR

KEY Part #: K937070

AS4C256M16D3LB-12BCNTR 価格設定（USD） [15831個在庫]

  • 1 pcs$2.89441
  • 2,000 pcs$2.74761
品番:
AS4C256M16D3LB-12BCNTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA. DRAM 4G 1.35V 800MHz 256M x 16 DDR3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ロジック-特殊ロジック, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, ロジック-シフトレジスタ, ロジック-FIFOメモリ, PMIC-配電スイッチ、負荷ドライバー, PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター, ロジック-マルチバイブレーター and インターフェース-アナログスイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BCNTR electronic components. AS4C256M16D3LB-12BCNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C256M16D3LB-12BCNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C256M16D3LB-12BCNTR 製品の属性

品番 : AS4C256M16D3LB-12BCNTR
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR3L
メモリー容量 : 4Gb (256M x 16)
クロック周波数 : 800MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 20ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.283V ~ 1.45V
動作温度 : 0°C ~ 95°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 96-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 96-FBGA (13.5x9)

最新ニュース

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
あなたも興味があるかもしれません
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

ホットパーツ