メーカー :
Renesas Electronics America Inc.
説明 :
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
ロジック電圧-VIL、VIH :
1.4V, 2.2V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
2A, 2A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
114V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
10ns, 10ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
9-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
9-TDFN (4x4)