Infineon Technologies - IRLH5034TRPBF

KEY Part #: K6418431

IRLH5034TRPBF 価格設定(USD) [63606個在庫]

  • 1 pcs$0.61474
  • 4,000 pcs$0.59902

品番:
IRLH5034TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLH5034TRPBF electronic components. IRLH5034TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLH5034TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLH5034TRPBF 製品の属性

品番 : IRLH5034TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4730pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.6W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.