Rohm Semiconductor - RFUH10NS4STL

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RFUH10NS4STL 価格設定(USD) [127997個在庫]

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品番:
RFUH10NS4STL
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching 430V Vrm 10A Io Recovery Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFUH10NS4STL 製品の属性

品番 : RFUH10NS4STL
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 430V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 430V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : LPDS
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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