Vishay Siliconix - SI7852ADP-T1-E3

KEY Part #: K6397701

SI7852ADP-T1-E3 価格設定(USD) [59834個在庫]

  • 1 pcs$0.65349
  • 3,000 pcs$0.61168

品番:
SI7852ADP-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7852ADP-T1-E3 electronic components. SI7852ADP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7852ADP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7852ADP-T1-E3 製品の属性

品番 : SI7852ADP-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 8V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1825pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.