Winbond Electronics - W979H6KBVX2E TR

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W979H6KBVX2E TR 価格設定(USD) [29615個在庫]

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品番:
W979H6KBVX2E TR
メーカー:
Winbond Electronics
詳細な説明:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz T&R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E TR 製品の属性

品番 : W979H6KBVX2E TR
メーカー : Winbond Electronics
説明 : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - Mobile LPDDR2
メモリー容量 : 512Mb (32M x 16)
クロック周波数 : 400MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.14V ~ 1.95V
動作温度 : -25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 134-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 134-VFBGA (10x11.5)

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