RTF010P02TL 価格設定（USD） [475089個在庫]
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- 品番:
- RTF010P02TL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RTF010P02TL electronic components. RTF010P02TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RTF010P02TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RTF010P02TL 製品の属性
品番 :
RTF010P02TL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
150pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TUMT3
パッケージ/ケース :
3-SMD, Flat Leads
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