現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI6

KEY Part #: K940865

TC58BYG0S3HBAI6 価格設定（USD） [32393個在庫]

  • 1 pcs$0.92400
  • 10 pcs$0.83202
  • 25 pcs$0.81881
  • 50 pcs$0.81655
  • 100 pcs$0.72963
  • 250 pcs$0.70592
品番:
TC58BYG0S3HBAI6
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-PFC（力率補正）, インターフェイス-ダイレクトデジタル合成（DDS）, インターフェース-信号バッファー、リピーター、スプリッター, ロジック-FIFOメモリ, インターフェース-センサー、静電容量式タッチ, PMIC-照明、バラストコントローラ, PMIC-電圧レギュレータ-リニア+スイッチング and データ収集-タッチスクリーンコントローラーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI6 electronic components. TC58BYG0S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI6 製品の属性

品番 : TC58BYG0S3HBAI6
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明 : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
シリーズ : Benand™
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns
アクセス時間 : 25ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 67-VFBGA (6.5x8)

最新ニュース

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
あなたも興味があるかもしれません
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • FM24CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN. F-RAM IIC FRAM 64K 3V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

ホットパーツ