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- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation 1N821A, SEL. 1% VBR electronic components. 1N821A, SEL. 1% VBR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N821A, SEL. 1% VBR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N821A, SEL. 1% VBR 製品の属性
品番 :
1N821A, SEL. 1% VBR
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
電圧-ツェナー（公称）（Vz） :
6.2V
公差 :
±1%
パワー-最大 :
500mW
インピーダンス（最大）（Zzt） :
10 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 3V
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
-
動作温度 :
-65°C ~ 175°C
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35 (DO-204AH)
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