IRFBE30LPBF 価格設定（USD） [28953個在庫]
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- 品番:
- IRFBE30LPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30LPBF electronic components. IRFBE30LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBE30LPBF 製品の属性
品番 :
IRFBE30LPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
78nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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