Vishay Siliconix - SIHG47N60E-GE3

KEY Part #: K6398063

SIHG47N60E-GE3 価格設定(USD) [8714個在庫]

  • 1 pcs$4.72871
  • 10 pcs$4.25408
  • 100 pcs$3.49762
  • 500 pcs$2.93043

品番:
SIHG47N60E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG47N60E-GE3 electronic components. SIHG47N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG47N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG47N60E-GE3 製品の属性

品番 : SIHG47N60E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 47A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 64 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9620pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 357W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.