1SS307E,L3F 価格設定（USD） [3127807個在庫]
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- 品番:
- 1SS307E,L3F
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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1SS307E,L3F 製品の属性
品番 :
1SS307E,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
100mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10nA @ 80V
静電容量@ Vr、F :
6pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-79, SOD-523
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-79
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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