RF4E110BNTR 価格設定（USD） [429410個在庫]
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- 品番:
- RF4E110BNTR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RF4E110BNTR electronic components. RF4E110BNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF4E110BNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RF4E110BNTR 製品の属性
品番 :
RF4E110BNTR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.1 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1200pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
HUML2020L8
パッケージ/ケース :
8-PowerUDFN
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