EGL41BHE3_A/I 価格設定（USD） [758794個在庫]
- 1 pcs$0.04875
- 品番:
- EGL41BHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41BHE3_A/I electronic components. EGL41BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL41BHE3_A/I 製品の属性
品番 :
EGL41BHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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