Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2B/1

KEY Part #: K6437967

ES2B/1 価格設定(USD) [379874個在庫]

  • 1 pcs$0.10274
  • 750 pcs$0.10223

品番:
ES2B/1
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2B/1 electronic components. ES2B/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2B/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2B/1 製品の属性

品番 : ES2B/1
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 900mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 18pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • SB15H45-7000E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY.

  • NSB8BT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB.

  • MBRB1660-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60 Volt

  • NSB8DT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • MBRB745-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5 Amp 45 Volt

  • ES2B/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.