1N459ATR 価格設定（USD） [3095710個在庫]
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- 100,000 pcs$0.00853
- 250,000 pcs$0.00759
- 品番:
- 1N459ATR
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1N459ATR electronic components. 1N459ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N459ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N459ATR 製品の属性
品番 :
1N459ATR
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
500mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 100mA
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
25nA @ 175V
静電容量@ Vr、F :
6pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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ホットパーツ
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- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
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- 2A02-T
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- SE15PD-M3/85A