IXFN55N50F 価格設定（USD） [2462個在庫]
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- 100 pcs$17.66600
- 250 pcs$16.48825
- 品番:
- IXFN55N50F
- メーカー:
- IXYS-RF
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS-RF IXFN55N50F electronic components. IXFN55N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN55N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN55N50F 製品の属性
品番 :
IXFN55N50F
メーカー :
IXYS-RF
説明 :
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
シリーズ :
HiPerRF™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
55A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
600W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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