Renesas Electronics America - RJK5015DPM-00#T1

KEY Part #: K6403987

RJK5015DPM-00#T1 価格設定(USD) [2168個在庫]

  • 1 pcs$3.03642

品番:
RJK5015DPM-00#T1
メーカー:
Renesas Electronics America
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Renesas Electronics America RJK5015DPM-00#T1 electronic components. RJK5015DPM-00#T1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK5015DPM-00#T1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK5015DPM-00#T1 製品の属性

品番 : RJK5015DPM-00#T1
メーカー : Renesas Electronics America
説明 : MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PFM
パッケージ/ケース : TO-3PFM, SC-93-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.