ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61DDB21M18C-250M3L

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IS61DDB21M18C-250M3L 価格設定(USD) [4795個在庫]

  • 1 pcs$10.04620

品番:
IS61DDB21M18C-250M3L
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ. SRAM 18Mb 250Mhz 1Mx18 DDR-II Sync SRAM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-フル、ハーフブリッジドライバー, インターフェース-シリアライザー、デシリアライザー, PMIC-電圧レギュレータ-DC DCスイッチングレギュレータ, PMIC-パワーオーバーイーサネット(PoE)コントローラー, クロック/タイミング-クロックジェネレーター、PLL、周波数シンセサイザー, PMIC-PFC(力率補正), PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター and リニア-アンプ-ビデオアンプおよびモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-250M3L electronic components. IS61DDB21M18C-250M3L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61DDB21M18C-250M3L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61DDB21M18C-250M3L 製品の属性

品番 : IS61DDB21M18C-250M3L
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : SRAM
技術 : SRAM - Synchronous, DDR II
メモリー容量 : 18Mb (1M x 18)
クロック周波数 : 250MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.71V ~ 1.89V
動作温度 : 0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 165-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 165-LFBGA (15x17)

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