RMPG06KHE3_A/54 価格設定（USD） [962649個在庫]
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- 品番:
- RMPG06KHE3_A/54
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 800V, 200NS, FS, MINIGPPRECT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06KHE3_A/54 electronic components. RMPG06KHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06KHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06KHE3_A/54 製品の属性
品番 :
RMPG06KHE3_A/54
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
250ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
MPG06, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
MPG06
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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