[589個在庫]
- 品番:
- 2SK3132(Q)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 50A TO-3PL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132(Q) electronic components. 2SK3132(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK3132(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK3132(Q) 製品の属性
品番 :
2SK3132(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3PL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
95 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
280nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P(L)
パッケージ/ケース :
TO-3PL
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