[589個在庫]
- 品番:
- 2SK3132(Q)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 50A TO-3PL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132(Q) electronic components. 2SK3132(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK3132(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK3132(Q) 製品の属性
品番 :
2SK3132(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3PL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
95 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
280nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P(L)
パッケージ/ケース :
TO-3PL
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR