NSVEMT1DXV6T1G 価格設定（USD） [817851個在庫]
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- 品番:
- NSVEMT1DXV6T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVEMT1DXV6T1G electronic components. NSVEMT1DXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVEMT1DXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVEMT1DXV6T1G 製品の属性
品番 :
NSVEMT1DXV6T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
500mV @ 5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500pA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 6V
パワー-最大 :
500mW
頻度-遷移 :
140MHz
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-563
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