VS-8EWH02FN-M3 価格設定（USD） [94465個在庫]
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- 品番:
- VS-8EWH02FN-M3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWH02FN-M3 electronic components. VS-8EWH02FN-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWH02FN-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWH02FN-M3 製品の属性
品番 :
VS-8EWH02FN-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252
シリーズ :
FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
970mV @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
24ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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