説明 :
IC MOSFET DRIVER 8-SOIC
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
2A, 2A
入力方式 :
Inverting, Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
125V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
65ns, 65ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC-EP