GeneSiC Semiconductor - MURTA30060R

KEY Part #: K6468602

MURTA30060R 価格設定(USD) [854個在庫]

  • 1 pcs$54.38981
  • 18 pcs$36.55488

品番:
MURTA30060R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER. Rectifiers 600V 300A Si Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA30060R electronic components. MURTA30060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA30060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA30060R 製品の属性

品番 : MURTA30060R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 150A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 150A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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