Vishay Semiconductor Diodes Division - GBL08-M3/51

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品番:
GBL08-M3/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL. Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBL08-M3/51 製品の属性

品番 : GBL08-M3/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 2A
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBL
サプライヤーデバイスパッケージ : GBL

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