VS-2EFH02-M3/I 価格設定（USD） [665064個在庫]
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- 品番:
- VS-2EFH02-M3/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rect 2A 200V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-2EFH02-M3/I electronic components. VS-2EFH02-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-2EFH02-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-2EFH02-M3/I 製品の属性
品番 :
VS-2EFH02-M3/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
シリーズ :
FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
950mV @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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