UGB8HTHE3/81 価格設定（USD） [93417個在庫]
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- 品番:
- UGB8HTHE3/81
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8HTHE3/81 electronic components. UGB8HTHE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8HTHE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8HTHE3/81 製品の属性
品番 :
UGB8HTHE3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
500V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.75V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
30µA @ 500V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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