ON Semiconductor - FDS4435BZ

KEY Part #: K6416722

FDS4435BZ 価格設定(USD) [348166個在庫]

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品番:
FDS4435BZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS4435BZ 製品の属性

品番 : FDS4435BZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1845pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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