[8582個在庫]
- 品番:
- NTLJF3117PTAG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTLJF3117PTAG electronic components. NTLJF3117PTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJF3117PTAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLJF3117PTAG 製品の属性
品番 :
NTLJF3117PTAG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
531pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
710mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR