Vishay Siliconix - SUD50N02-06P-E3

KEY Part #: K6412657

SUD50N02-06P-E3 価格設定(USD) [13370個在庫]

  • 2,000 pcs$0.47187

品番:
SUD50N02-06P-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 50A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SUD50N02-06P-E3 electronic components. SUD50N02-06P-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50N02-06P-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD50N02-06P-E3 製品の属性

品番 : SUD50N02-06P-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 50A TO252
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2550pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 6.8W (Ta), 65W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • IRLR4343TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.