NCP5106BDR2G 価格設定（USD） [211003個在庫]
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- 品番:
- NCP5106BDR2G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC. Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-音声録音と再生, インターフェース-ドライバー、レシーバー、トランシーバー, インターフェース-センサーと検出器のインターフェース, ロジック-信号スイッチ、マルチプレクサ、デコーダ, ロジック-FIFOメモリ, 組み込み-マイクロコントローラー付きFPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）, PMIC-配電スイッチ、負荷ドライバー and インターフェース-UART（Universal Asynchronous Receiver Tranを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NCP5106BDR2G electronic components. NCP5106BDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NCP5106BDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NCP5106BDR2G 製品の属性
品番 :
NCP5106BDR2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
駆動構成 :
Half-Bridge
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給 :
10V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.3V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
250mA, 500mA
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
85ns, 35ns
動作温度 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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