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ON Semiconductor - FDMD8630

KEY Part #: K6525023

FDMD8630 価格設定（USD） [28409個在庫]

  • 1 pcs$1.45067
品番:
FDMD8630
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMD8630 electronic components. FDMD8630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMD8630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMD8630 製品の属性

品番 : FDMD8630
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1 mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 142nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9930pF @ 15V
パワー-最大 : 2.3W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power 5x6

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