Infineon Technologies - IPD90N04S3H4ATMA1

KEY Part #: K6419698

IPD90N04S3H4ATMA1 価格設定(USD) [126409個在庫]

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品番:
IPD90N04S3H4ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD90N04S3H4ATMA1 製品の属性

品番 : IPD90N04S3H4ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 65µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 115W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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