Infineon Technologies - IPP084N06L3GXKSA1

KEY Part #: K6419246

IPP084N06L3GXKSA1 価格設定(USD) [99327個在庫]

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品番:
IPP084N06L3GXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP084N06L3GXKSA1 製品の属性

品番 : IPP084N06L3GXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 34µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4900pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 79W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3