説明 :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
100A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
500nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
10200pF @ 800V
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)