Vishay Siliconix - IRFS11N50ATRR

KEY Part #: K6414172

[12846個在庫]


    品番:
    IRFS11N50ATRR
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFS11N50ATRR electronic components. IRFS11N50ATRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS11N50ATRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFS11N50ATRR 製品の属性

    品番 : IRFS11N50ATRR
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 52nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1423pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 170W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRFR5505

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRFR9120NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9120NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9024NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9024NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9014N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.