Infineon Technologies - IRF8910GTRPBF

KEY Part #: K6524122

[3937個在庫]


    品番:
    IRF8910GTRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8910GTRPBF 製品の属性

    品番 : IRF8910GTRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.4 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.55V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 960pF @ 10V
    パワー-最大 : 2W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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