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- 品番:
- FDY301NZ_G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDY301NZ_G electronic components. FDY301NZ_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDY301NZ_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDY301NZ_G 製品の属性
品番 :
FDY301NZ_G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.1nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
60pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
625mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-89-3
パッケージ/ケース :
SC-89, SOT-490
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