NJVBUB323ZT4G 価格設定（USD） [51409個在庫]
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- 品番:
- NJVBUB323ZT4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NJVBUB323ZT4G electronic components. NJVBUB323ZT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NJVBUB323ZT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NJVBUB323ZT4G 製品の属性
品番 :
NJVBUB323ZT4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Darlington
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
350V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
1.7V @ 250mA, 10A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100µA
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
500 @ 5A, 4.6V
パワー-最大 :
150W
頻度-遷移 :
2MHz
動作温度 :
-65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK-3
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