Microsemi Corporation - APT29F100B2

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APT29F100B2 価格設定(USD) [4640個在庫]

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品番:
APT29F100B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT29F100B2 製品の属性

品番 : APT29F100B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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